RN2109CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | RN2109CT(TPL3) |
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Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 20 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | CST3 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
Leistung - max | 50 mW |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Verpackung / Gehäuse | SC-101, SOT-883 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Befestigungsart | Surface Mount |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 100 @ 10mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 50 mA |
Grundproduktnummer | RN2109 |
RN2109CT(TPL3) Einzelheiten PDF [English] | RN2109CT(TPL3) PDF - EN.pdf |
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM,
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
RN2109 TOSHIBA
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
TOS NA
AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47KOHM,
RN2109F TOSHIBA
RN2108MFV TOSHIBA
TOSHIBA SOT-723
RN2110 TOSHIBA
TOSHIBA SOT723
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
RN2109LF TOS
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=4.7K
RN2109MFV TOSHIBA
2024/07/4
2024/07/11
2024/04/14
2024/06/27
RN2109CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and Storage |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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